RAM Atmintis Samsung DDR4, 8 GB, 2133MHz, (M378A1G43DB0-CPB)

Pamięć RAM Samsung DDR4 o pojemności 8 GB i prędkości 2133 MHz to solidny wybór dla użytkowników komputerów osobistych, którzy potrzebują niezawodnej i wydajnej pamięci do codziennych zadań. Pojemność 8 GB umożliwia płynne działanie systemu operacyjnego oraz aplikacji, co przekłada się na komfortową pracę i zabawę. Prędkość 2133 MHz zapewnia odpowiednią wydajność, co jest istotne przy wielozadaniowości i uruchamianiu bardziej wymagających programów. Niskie napięcie robocze 1.2 V wpływa na mniejsze zużycie energii, co jest korzystne dla długoterminowej efektywności energetycznej komputera. Opóźnienie CAS 15 gwarantuje szybszy dostęp do danych, co poprawia ogólną responsywność systemu. Pozłacane wtyki zwiększają trwałość modułu, co przekłada się na lepszą niezawodność i dłuższą żywotność pamięci. Moduł typu UDIMM jest łatwy w instalacji, co pozwala na szybką rozbudowę pamięci w komputerze stacjonarnym. Pamięć RAM Samsung DDR4 8GB 2133MHz – Wydajność i niezawodność Pamięć RAM Samsung DDR4 o pojemności 8 GB i prędkości 2133 MHz, model M378A1G43DB0-CPB, to znakomity wybór dla użytkowników komputerów osobistych, którzy poszukują niezawodnego i wydajnego rozwiązania. Dzięki nowoczesnej technologii DDR4, ten moduł pamięci zapewnia doskonałą wydajność oraz stabilność działania systemu. Typ pamięci i zastosowanie – Idealna do komputerów PC Moduł pamięci jest typu UDIMM, co oznacza, że nie jest buforowany (unbuffered). To idealne rozwiązanie dla komputerów stacjonarnych, które wymagają szybkiej i efektywnej pamięci operacyjnej. Z pojemnością 8 GB, pamięć ta zaspokoi potrzeby zarówno codziennych użytkowników, jak i bardziej wymagających aplikacji. Szybkość i wydajność – 2133MHz dla lepszej pracy Prędkość 2133 MHz zapewnia płynne działanie systemu oraz szybsze ładowanie aplikacji. Dzięki standardowi PC4-17000, pamięć RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB oferuje wysoką wydajność, co przekłada się na lepsze doświadczenia podczas pracy z wieloma programami jednocześnie. Opóźnienie CAS 15 – Optymalizacja wydajności Opóźnienie CAS wynoszące 15 to kolejny atut tego modułu pamięci. Niskie opóźnienie umożliwia szybszy dostęp do danych, co znacząco wpływa na ogólną wydajność systemu. Dzięki temu użytkownicy mogą cieszyć się lepszą responsywnością i efektywnością pracy. Napięcie 1.2V – Efektywność energetyczna Pamięć RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB działa przy napięciu 1.2 V, co przyczynia się do niższego zużycia energii. To oznacza nie tylko oszczędności na rachunkach za prąd, ale także mniejsze wydzielanie ciepła, co wpływa na dłuższą żywotność podzespołów komputerowych. Wysoka jakość wykonania – Pozłacane wtyki dla lepszej trwałości Moduł pamięci wyposażony jest w pozłacane wtyki, co zwiększa jego trwałość i niezawodność. Dzięki temu, pamięć RAM jest odporna na korozję i zapewnia stabilne połączenie z płytą główną, co jest kluczowe dla długotrwałej pracy systemu. Specyfikacja techniczna pamięci RAM Samsung M378A1G43DB0-CPB Producent Samsung Typ pamięci DDR4 Pojemność całkowita 8 GB Liczba modułów 1 Typ złącza DIMM Szybkość modułu PC4-17000 Częstotliwość 2133 MHz Opóźnienie CAS 15 Napięcie 1.2 V Rodzaj pamięci Non-ECC Układ pamięci Dual Rank Długość 7.00 cm Wysokość 1.50 cm Głębokość 0.20 cm Cechy dodatkowe pozłacane wtyki Certyfikaty zgodności CE