AKUMULIATORIŲ ĮKROVIMO PRIETAISAS – INVERTORINIS (JUMP STARTER – PALEIDIMAS 600A) 12V / 24V
Modelis: POWERMAT PM-PI-600T
Invertorinis įkroviklis – tai prietaisas, leidžiantis įkrauti įvairių tipų švino-rūgštines baterijas. Tai gali būti
WET baterijos
su skystu elektrolitu, GEL baterijos su gelio pavidalo elektrolitu
arba AGM baterijos su elektrolitą absorbuojančiu kilimėliu.
Be to, prietaisas padeda paleisti vidaus degimo variklius. Jis veikia paverčiant elektros tinklo tiekiamą srovę ir įtampą tokia, kuri yra saugi efektyviam baterijų įkrovimui. Įkrovimo proceso dėka užtikriname tinkamą baterijos našumą, o tai gerokai prailgina jos tarnavimo laiką.
Paleidimo funkcija leidžia užvesti beveik bet kokią transporto priemonę net tada, kai baterija yra visiškai išsikrovusi.
Techniniai duomenys
-
Nominali įtampa:
230V / 50Hz
-
Įkrovimo srovės stipris:
5 - 80 [A]
-
Baterijos talpa:
25 - 800 [Ah]
-
Įkrovimo srovės įtampa:
12V / 24 V
-
Maksimali paleidimo srovė:
600 A
-
Maksimali įėjimo galia:
100 - 1200 [W]
-
Darbinė temperatūra:
-20°C - 40°C
-
Efektyvumas:
98%
-
Atsparumo vandeniui klasė:
IP 20
-
"Gnybtų" tipo kabelių ilgis:
183 cm
-
Maitinimo laido ilgis:
195 cm
Komplektacija
-
1x Įkroviklis
-
Laidai su gnybtais "-" ; "+"
-
Dėžutė
-
Naudojimo instrukcija lenkų kalba
Funkcionalumas
-
Įkroviklis automatiškai pritaiko tiekiamą srovę
prie variklio poreikio, skirtingai nei transformatoriniai prietaisai, kurie tiekia statinę srovę, o tai padidina baterijų saugumą.
-
Suaktyvinus paleidimo funkciją, prietaisas laukia momento, kai varikliui reikia srovės
– mums nereikia skubėti prie transporto priemonės, kad ją užvestume dalimis. Tik pasukus užvedimo raktelį jis tiekia didesnį srovės kiekį, reikalingą varikliui pradėti veikti.
-
Šis sprendimas garantuoja
saugumą dėl stabilios išėjimo įtampos
. Jis pritaikytas tiek mikroautobusams, tiek lengviesiems automobiliams.
-
Dėl IGBT technologijos įkroviklis yra daug mažesnis nei transformatoriniai įkrovikliai, todėl yra kompaktiškesnis.
-
Prietaisas pagamintas iš aukščiausios kokybės komponentų.
IGBT technologija
IGBT tranzistoriai (Insulated Gate Bipolar Transistor) – tai puslaidininkiniai elektronikos elementai, kurie jungia bipolinio tranzistoriaus ir lauko tranzistoriaus (MOSFET) savybes.
Pagrindinės IGBT tranzistorių technologijos savybės:
-
Didelis efektyvumas:
IGBT tranzistoriai pasižymi dideliu energijos efektyvumu, todėl yra našūs galios jungikliai.
-
Didelis laidumo efektyvumas:
IGBT tranzistoriai gali praleisti dideles elektros sroves, todėl naudojami programose, kuriose reikia valdyti didelę galią.
-
Didesnė kolektoriaus-emiterio įtampa:
IGBT tranzistoriai gali atlaikyti didesnes įtampas, palyginti su tradiciniais MOSFET tranzistoriais, o tai naudinga aukštos įtampos programose.
-
Šiluminė apsauga:
Daugelis IGBT tranzistorių turi integruotus šiluminės apsaugos mechanizmus, kurie apsaugo nuo perkaitimo, o tai padidina prietaisų, kuriuose jie naudojami, patikimumą.
-
Platus pritaikymas:
IGBT tranzistorių technologija plačiai naudojama dažnio keitikliuose, impulsiniuose maitinimo šaltiniuose, galios reguliavimo sistemose, elektros variklių pavaros sistemose ir daugelyje kitų prietaisų, kuriems reikia efektyvaus galios valdymo.
-
Naudojimas pramoninėje elektronikoje:
IGBT tranzistoriai naudojami pramoniniuose prietaisuose, tokiuose kaip invertoriai, kurie leidžia tiksliai reguliuoti elektros variklių greitį ir konvertuoti elektros energiją.
Trumpai tariant, IGBT tranzistorių technologija yra pagrindinis galios elektronikos srities elementas, leidžiantis pažangiai valdyti elektros energiją įvairiose pramoninėse ir vartotojiškose programose.
Aukščiausios kokybės laidai
Laido šerdis, pagaminta iš vario, ir visiškai guma padengti "krokodilų" tipo gnybtai užtikrina visišką darbo saugumą ir apsaugą nuo šalčio.
Visiškai apsaugoti "krokodilų" tipo gnybtai
Patvarūs ir ilgaamžiai, saugūs naudoti.
Laido šerdis pagaminta iš vario
Varinės vielos naudojimas gali garantuoti stabilų srovės našumą. Įkrovimo laidai yra ilgaamžiai ir neįkaista.
Įkroviklis aprūpintas turboventiliatoriumi, kuris veikia automatiškai ir užtikrina IGBT tranzistorių grandinių apsaugą.