128 GB vidinė ir 2 GB RAM atmintis Samsung telefonams

Samsung pradėjo gaminti didesnės talpos atminties lustus mobiliesiems telefonams.

2 GB LPDDR3 DRAM atminties moduliai gaminami naudojant naują 30 nm procesą, tad pirmą kartą tokia talpa užima tik vieną lustą. Atmintis veikia 1600 Mbit/s greičiu – apie 50 proc. sparčiau nei dabartinė RAM. Pasak Samsung, naujoji atmintis pajėgi realiu laiku atkoduoti 1080p raiškos vaizdą telefonuose ir planšetėse.

Spėjama, kad naujoji vidinė ir operatyvinė atmintis bus skirta Galaxy S III įpėdiniui, kuris gali būti pristatytas jau vasarį vyksiančiame Mobile World Congress. 

Join the discussion

El. pašto adresas nebus skelbiamas.